BSZ088N03MSGATMA1-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:45A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有45A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6mΩ，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件在中等电流水平下保持较低的导通损耗，适合对能效和热管理有一定要求的应用场景。常用于电源转换模块、便携式设备供电系统、电机驱动电路以及高频开关应用中，能够在保证电气性能的同时支持紧凑型电路设计。
