TSM080N03EPQ56 RLG_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有50A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）为6.5毫欧。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于对效率和热性能要求较高的开关电源、电机驱动以及各类高密度功率电子系统中的功率开关应用。
