NTTFS4985NFTWG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和120A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.9毫欧。其低导通电阻特性可有效降低大电流工作时的功率损耗和发热，适用于高效率电源转换、电池供电设备、电机驱动及高密度功率模块等应用场合，在确保稳定运行的同时提升整体能效表现。
