V20M100M-E3/4W-HXY_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流为20A，最大反向重复峰值电压达100V。其正向压降典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流仅为20μA，体现出良好的阻断性能。器件可承受高达200A的非重复性浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热管理要求较高的整流与续流场景，如开关电源、DC-DC转换模块及各类高频电源电路中。
