DMT3006LFG-13-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。在高电流应用中，其极低的导通损耗有助于减少发热并提升整体能效。适用于对功率密度和热管理有较高要求的场合，如开关电源、便携式设备的电源路径控制以及高效电机驱动等电子系统，能够支持稳定且高效的运行。
