BUK624R5-30C_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为3.8毫欧。在典型工作条件下，其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统整体效率。适用于高电流负载的电源管理、电机驱动以及高频开关电路等应用场合。器件在保持高电流处理能力的同时，有助于优化热性能与能效，适合对功率密度和可靠性有较高要求的电子系统设计。
