TK4A65DA(STA4,Q,M)_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:3.9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:1555mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）为3.9A，导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。其栅源驱动电压范围为-8V至@0V，具备良好的开关特性和热稳定性。由于采用碳化硅材料，器件在高频工作条件下仍能保持较低的开关损耗，适用于对效率和体积有较高要求的电源转换、适配器及可再生能源相关电路中。
