STP5NK65ZFP-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:3.9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:1555mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。栅源电压范围为-8V至@0V，适用于对开关效率和热性能有较高要求的电力电子场景。其碳化硅材料特性有助于降低开关损耗并提升系统整体能效，适合用于高频、高效率的电源转换架构中。
