GSFP0976_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET器件具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在导通状态下呈现低至7.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于对开关速度和能效要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场景。器件结构支持高电流承载能力，同时保持良好的热稳定性与可靠性。
