NVMFS5C450NWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:130A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效，适用于高电流开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高效功率转换电路。其大电流承载能力与低阻特性使其在高频、高效率应用场景中表现稳定可靠。
