TSM038N03PQ33 RGG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.9毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在大电流工作条件下维持较高的能效。适用于高功率密度的电源系统、电机驱动电路及高频开关应用，能够在紧凑的电路布局中提供稳定的电气性能和良好的热表现。
