NVMFS5C450NWFAFT3G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:130A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有助于显著减少导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于高电流、高频率运行的电源管理场景，例如多相稳压器、电池管理系统中的功率开关、以及需要高效能与紧凑布局的电子设备中。在大电流负载条件下，器件仍能保持较低温升，有利于优化热设计。
