AON7788_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至3.5毫欧。其低RDS(ON)特性有助于减少导通损耗，提升整体效率，在高电流开关应用中表现出良好的热稳定性和功率处理能力。适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源管理、电池供电系统及各类高频开关电路中，能够有效支持大电流负载下的稳定运行。
