DMN3009LFVWQ-13_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5毫欧。其极低的导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统效率并减少散热需求。适用于高电流、高效率要求的电源管理、直流-直流转换器以及电机驱动等应用场景，在持续大电流工作条件下仍能保持良好的热性能与稳定性。
