DMN3009LFVWQ-7_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为3.5毫欧。在高电流工作条件下，其较低的导通电阻有助于有效抑制功率损耗和温升，提升整体能效。适用于对效率和热性能有较高要求的电源模块、电机驱动电路、电池供电设备以及各类高密度电力电子系统。
