AON7416_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:45A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有45A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，有助于提升系统整体效率。适用于高电流、高频率的开关应用场景，如电源管理模块、电机驱动电路及高效能计算设备中的功率调节单元。器件在高负载条件下仍能保持良好的热性能与电气稳定性。
