NVMFS6B03NLT3G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.6毫欧。其高电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的功率转换场景。器件采用标准封装结构，便于在高密度电路布局中集成，适合用于电源管理、电机驱动及高频开关等应用场合，能够有效提升系统整体能效与可靠性。
