AOTF7N65_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:3.9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:1555mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和3.9A的连续漏极电流（ID），在25℃下典型导通电阻（RDS(on)）为1555mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，确保器件在多种驱动条件下稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，该器件在高频、高效率应用场景中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适用于对能效和紧凑布局有较高要求的电源转换系统。
