MBR10100FCT_T0_00001_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:100V 参数3：VF:1V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定平均正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）达100V。在正常工作条件下，其正向压降（VF）为1V，反向漏电流（IR）不超过100μA。器件可承受高达125A的正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源及多路输出电路等场合。共阴极结构有助于简化PCB布线，提升系统集成效率。
