PJD8NA65A_L2_00001_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:11A 参数2：VDSS:900V 参数3：RDON:712mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备900V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ，栅源电压范围为-8V至@0V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高电压应用中展现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高频开关电源、光伏逆变器及高效率电能转换系统等场景，可在较高工作温度下维持可靠性能。
