PJQ5410_R2_00001_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为30V，导通电阻为4.7毫欧，最大栅源电压为20V。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，提升系统整体效率，适用于高电流密度的电源转换、电机驱动、电池充放电控制及高频开关电路等场合。器件在保持良好热稳定性和开关特性的同时，适合对空间和能效有较高要求的电子系统。
