NVTFS4C06NWFTAG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为3.5毫欧。低导通电阻使其在大电流工作条件下能有效降低功率损耗与温升，适用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具驱动以及各类需要快速开关响应的电子设备中。器件结构优化了导通与开关特性，在紧凑型设计中可提供稳定的电气性能。
