LSG65R380GT_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备15A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为260mΩ。栅源驱动电压范围为-5V至!6V，适用于对效率和开关速度要求较高的电力电子系统。器件采用碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和低开关损耗特性，适合在高频、高效率的电源转换场景中使用，可有效提升系统整体能效与功率密度。
