RQ3E180BNTB1-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.9毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，有利于提升系统效率并减少散热需求。该器件适用于高电流、高频率的开关应用场景，如电源转换、电池管理系统及各类紧凑型电力电子模块，在确保可靠运行的同时支持高密度电路布局。
