CSD17309Q3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4mΩ。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。适用于高电流负载场景，如电源转换模块、便携式设备供电系统及高性能计算平台中的电源管理单元。其电气特性支持快速开关操作，在高频工作条件下仍可维持较低的热应力与稳定性能。
