SQS482EN-T1_BE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为35A，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其电气特性适合用于中等功率的开关应用，在导通状态下可有效控制功耗与温升。由于具备较低的RDS(on)和适中的电流能力，该器件适用于高效电源转换、电池供电设备中的功率开关以及同步整流等电路拓扑，能够在有限的散热条件下维持稳定运行。
