NTMS4939NR2G-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至7.5毫欧。器件在高效率电源转换和功率管理应用中表现出色，适用于对导通损耗敏感的电路设计。其低RDS(ON)有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于便携式电子设备、消费类电源模块及各类开关电路中，满足对紧凑布局与高效运行的需求。
