MBR30H100CT_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:30A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.8V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流IF为30A，最大反向电压VR达100V。其正向压降VF典型值为0.8V，在导通状态下具有较低的功耗；反向漏电流IR为100μA，表现出良好的阻断特性。器件可承受高达250A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场合，常见于电源转换、开关模式电源及高频逆变等电路结构中。
