NVMFS5C673NLAFT1G-YE_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:65A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备65A的漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为8毫欧，栅源电压（VGS）额定值达20V。低导通电阻有助于在高电流工作时减少功率损耗与温升，适用于电源转换、电机控制、电池管理系统及各类高效率开关电路中。其电气参数组合使其在需要大电流承载能力和快速开关响应的电子设备中具有良好的适用性。
