NTTFS4C06NTWG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为3.5毫欧。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统效率，适用于高电流开关、电源转换及电池供电设备等应用。器件在中等功率场景下表现出良好的热稳定性和开关响应能力，适合对体积与能效有要求的电子系统。
