GC11N65K_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备15A的漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强和低导通损耗特性，在高频开关应用中表现出优异的效率和热性能。适用于对转换效率、响应速度及系统紧凑性有明确需求的电源管理、可再生能源接入以及高密度电力电子模块等场景。
