IPD70N03S4L04ATMA1-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有助于在大电流工作条件下有效抑制功耗，提升系统效率并简化热管理设计。适用于高功率密度的电源架构，如多相稳压模块、电池管理系统及高效直流转换电路，在持续高负载或高频开关应用中可维持良好的电气性能与稳定性。
