NVMFS5C450NWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:130A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备40V的漏源击穿电压（VDSS）、130A的连续漏极电流（ID），以及低至2.8毫欧的导通电阻（RDS(on)）。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低温升。适用于大电流电源管理、高效DC-DC转换器、电池供电系统及各类需要高效率开关操作的电子设备中，能够在高频开关应用中提供稳定的电气性能和可靠的运行表现。
