STP120NF10-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:8.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、8.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其参数组合使其在中等功率应用中具有良好的导通特性和电压耐受能力。较低的RDS(ON)有助于控制导通损耗，适用于开关电源、电机驱动及高效能电源转换等场景，在保障可靠运行的同时支持较高的开关频率。
