FDMC7672_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4毫欧。低导通电阻有助于在高电流工作条件下有效降低功率损耗与温升，提升整体能效。其电气特性适合用于需要频繁开关或持续大电流传输的电路中，例如电源转换模块、电机驱动单元以及便携式储能设备中的功率控制环节，能够保障系统运行的稳定性与响应速度。
