GSFPB0976_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备75A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为100V，导通电阻低至7.3毫欧，在栅源电压最高达20V的驱动条件下可实现高效开关操作。其低RDS(ON)有助于降低导通损耗，适用于高效率电源管理、电机控制、不间断电源系统及各类中高功率电子设备中的开关与功率调节功能。器件在高频工作状态下仍能保持良好的性能稳定性。
