SIR182DP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:125A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:2.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60V的漏源击穿电压（VDSS）和125A的连续漏极电流（ID），导通状态下漏源导通电阻（RDS(ON)）仅为2.4mΩ，显著降低导通损耗。器件支持高电流密度运行，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及大功率电子开关等场合，能够在高频操作中维持稳定的电气特性与较低的温升。
