PJQ4402P-AU_R2_000A1_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低的温升。该器件适用于对效率和热性能要求较高的电源开关电路，例如直流-直流转换器、电池管理系统中的功率路径控制，以及需要频繁开关操作的电子负载应用，能够提供稳定可靠的电气性能。
