BSC032N04LSATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:130A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、大电流开关以及电池管理系统等应用场景，能够支持频繁开关操作并保持稳定可靠的电气特性。
