PJQ4528S6P-AU_R2_002A1_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为55A，最大漏源电压为30V，导通电阻为4.7毫欧，栅源电压最高支持20V。器件在中等电流应用中展现出良好的导通特性与较低的功率损耗，适用于对效率和热管理有一定要求的电源开关、同步整流及负载控制电路。其参数组合使其在紧凑型高效率电子系统中具备稳定的工作表现。
