NTD4970NT4G-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧。凭借低导通电阻与高电流承载能力，器件在大电流开关应用中可有效降低导通损耗，提升系统效率。适用于电源管理、电机控制、电池保护及各类高效率功率转换电路，在持续高负载条件下仍能保持良好的热性能与稳定性。
