SISA10BDN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:2.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持100A的连续漏极电流（ID），漏源击穿电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至2.5mΩ。凭借极低的导通阻抗，器件在高电流应用中可有效抑制功率损耗与温升，适用于高效电源转换、大电流开关电路及电机驱动等场景。其电气特性有利于提升系统整体效率，并在紧凑型设计中实现良好的热管理表现。
