TK50P03M1(T6RSS-Q)_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有80A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其低导通电阻有助于在大电流工作状态下显著降低导通损耗，提升系统效率。器件适用于对功率密度和热管理有较高要求的电源转换场合，能够在高频开关条件下保持稳定性能，满足紧凑型电子设备中对高效功率控制的需求。
