IPP65R190CFDAAKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至165mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统能效。栅源电压范围为-10V至@5V，确保器件在驱动过程中的稳定性和可靠性。基于碳化硅材料的物理特性，该器件展现出优异的高温稳定性、高耐压能力以及快速开关响应。适用于高功率密度电源转换应用，如高效AC-DC/DC-DC变换器、高压逆变装置、可再生能源发电系统中的功率调节模块以及对热性能和电气性能要求较高的电力电子设备。
