FDP047N10-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其超低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统整体效率，适用于高电流密度和高效率要求的电源转换、电机驱动及大功率开关电路等应用场合。器件在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。
