IXTP20N65X2-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅场效应管具备800V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至165mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-10V至@5V，确保器件在宽电压条件下稳定工作。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的开关性能和高温工作能力，可有效降低系统损耗。典型应用包括高功率密度电源转换、高压直流变换、太阳能逆变系统及高频率开关电源模块等场景。
