XP65SL190DI_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备20A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为160mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强和低导通损耗特性，适用于高频、高效率的电源转换系统，如开关电源、光伏逆变器及储能设备等。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时有助于简化门极驱动电路设计。
