IPP65R190E6XKSA1-HXY_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为20A，漏源击穿电压达800V，导通电阻典型值为165mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时N沟道结构便于实现高效开关控制，在高频运行条件下仍能保持稳定性能。
