GHXS100B065S-D3-HXY_SOT-227_碳化硅二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-227 类别：碳化硅二极管 最小包装：13/管装 参数1：IF:250A 参数2：VR:650V 参数3：VF:1.4V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅二极管具有250A的正向电流（IF）和650V的反向重复峰值电压（VR），正向压降（VF）为1.4V，反向漏电流（IR）低至100μA。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达600A，展现出良好的瞬态过载承受能力。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关和高温环境下仍能维持稳定的电气性能，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统及对热管理要求较高的电力电子应用。
