FDP4D5N10C-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:4.1mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低的温升。适用于对效率、热管理和功率密度要求较高的电源转换、电机驱动及大电流开关应用，能够在高频操作中保持稳定的电气性能。
